近十年财险业务快速发展 财产保险业风险保障水平不提升
2022-12-12 17:05:55
(资料图片)
东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)(统称“东芝”)已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成方格状(方格状嵌入式SBD),以实现低导通电阻和高可靠性。东芝已经证实,与目前的SiC MOSFET相比,这种设计能够在不影响可靠性的前提下,将导通电阻[1] (RonA)降低约20%。[2]
东芝:新开发的方格状SBD嵌入式SiC MOSFET的MOSFET示意图(图示:美国商业资讯)
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